Двойной полированный монокристаллический Si подложка 4*4*0 4 мм/эпитаксиальный



Сохраните в закладки:

Цена:2 410,64RUB
*Стоимость могла изменится

Количество:


Новое поступление

Характеристики

Двойной полированный монокристаллический Si подложка 4*4*0 4 мм/эпитаксиальный

История изменения цены

*Текущая стоимость 2 410,64 уже могла изменится. Что бы узнать актуальную цену и проверить наличие товара, нажмите "Добавить в корзину"

Месяц Минимальная цена Макс. стоимость Цена
Mar-21-2026 2868.92 руб. 3011.4 руб. 2939.5 руб.
Feb-21-2026 2844.17 руб. 2986.61 руб. 2915 руб.
Jan-21-2026 2386.69 руб. 2505.88 руб. 2445.5 руб.
Dec-21-2025 2796.45 руб. 2936.46 руб. 2866 руб.
Nov-21-2025 2434.28 руб. 2556.0 руб. 2495 руб.
Oct-21-2025 2747.33 руб. 2884.90 руб. 2815.5 руб.
Sep-21-2025 2723.55 руб. 2859.4 руб. 2791 руб.
Aug-21-2025 2699.92 руб. 2834.97 руб. 2766.5 руб.
Jul-21-2025 2675.3 руб. 2809.63 руб. 2742 руб.

Описание товара

Двойной полированный монокристаллический Si подложка 4*4*0 4 мм/эпитаксиальныйДвойной полированный монокристаллический Si подложка 4*4*0 4 мм/эпитаксиальныйДвойной полированный монокристаллический Si подложка 4*4*0 4 мм/эпитаксиальныйДвойной полированный монокристаллический Si подложка 4*4*0 4 мм/эпитаксиальный


Технические характеристики:

1. Материал: Кремний высокой чистоты

2. Длина: 4 мм

3. Ширина: 4 мм

4. Толщина: 0,4 мм

5. Сопротивление: 0,0001-100 Вт

6. Ориентация: <111>, <100>, <110>

7. Полировка: двойная полировка

8. Плоскость: <1 микрометр

9. Основное применение: Подложка для покрытия PVD/CVD пленки/экспериментальный носитель образцов/Подложка для молекулярного луча epitaxy

Продукты могут быть настроены. Если вам нужна эта услуга, пожалуйста, свяжитесь с нами.

Пожалуйста, свяжитесь с нами перед покупкой, чтобы подтвердить наличие количества товаров на складе.

12345


Смотрите так же другие товары: