Новое поступление
Характеристики
*Текущая стоимость 15 023,50 уже могла изменится. Что бы узнать актуальную цену и проверить наличие товара, нажмите "Добавить в корзину"
| Месяц | Минимальная цена | Макс. стоимость | Цена |
|---|---|---|---|
| Feb-20-2026 | 19079.97 руб. | 19461.14 руб. | 19270 руб. |
| Jan-20-2026 | 15474.3 руб. | 15783.0 руб. | 15628.5 руб. |
| Dec-20-2025 | 18779.53 руб. | 19155.36 руб. | 18967 руб. |
| Nov-20-2025 | 18629.13 руб. | 19002.78 руб. | 18815.5 руб. |
| Oct-20-2025 | 14873.44 руб. | 15170.54 руб. | 15021.5 руб. |
| Sep-20-2025 | 18328.11 руб. | 18695.91 руб. | 18511.5 руб. |
| Aug-20-2025 | 18178.80 руб. | 18542.1 руб. | 18360 руб. |
| Jul-20-2025 | 18028.92 руб. | 18389.54 руб. | 18208.5 руб. |
Описание товара



ОдиночныйБоковая полировка одинарного кристалла кремния
Технические характеристики:
Монокристаллическая Кремниевая подложка
1. Длина 5 мм, ширина 5 мм, толщина 0,65 мм , С переключением между дальним и сбоку Толщина оксида 300nm. 2. На одной стороне Полированная 3,100 штук P типа 4.Допинг ЭлTP типа BМатериал:
Монокристаллический Кремний высокой чистоты, двухсторонняя полировка, удельное сопротивление: 0,0001-100Область применения:
1.PVD/CVD покрытие подложки
2. Используется как XRD (рентгеновский Дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), AFM (атомный силовой микроскоп), FTIR инфракрасный, флуоресцентная спектроскопия и другие аналитические испытательные подложки
3. Экспериментальный носитель образцов синхротронного излучения
4. Подложка для молекулярного пучка эпитаксиального выращивания
5. Процесс литографии полупроводников и так далее







Смотрите так же другие товары: