4 дюймовый силиконовый вафельный IC полупроводниковый высокочистый



Сохраните в закладки:

Цена:2 046,62RUB
*Стоимость могла изменится

Количество:


Новое поступление

Характеристики

4 дюймовый силиконовый вафельный IC полупроводниковый высокочистый

История изменения цены

*Текущая стоимость 2 046,62 уже могла изменится. Что бы узнать актуальную цену и проверить наличие товара, нажмите "Добавить в корзину"

Месяц Минимальная цена Макс. стоимость Цена
Mar-21-2026 2435.32 руб. 2557.72 руб. 2496 руб.
Feb-21-2026 2414.1 руб. 2535.60 руб. 2474.5 руб.
Jan-21-2026 2026.32 руб. 2127.30 руб. 2076.5 руб.
Dec-21-2025 2373.86 руб. 2492.72 руб. 2432.5 руб.
Nov-21-2025 2066.43 руб. 2169.67 руб. 2117.5 руб.
Oct-21-2025 2332.88 руб. 2449.34 руб. 2390.5 руб.
Sep-21-2025 2312.32 руб. 2428.11 руб. 2370 руб.
Aug-21-2025 2292.3 руб. 2407.5 руб. 2349.5 руб.
Jul-21-2025 2271.13 руб. 2385.49 руб. 2328 руб.

Описание товара

4 дюймовый силиконовый вафельный IC полупроводниковый высокочистый4 дюймовый силиконовый вафельный IC полупроводниковый высокочистый4 дюймовый силиконовый вафельный IC полупроводниковый высокочистый4 дюймовый силиконовый вафельный IC полупроводниковый высокочистый4 дюймовый силиконовый вафельный IC полупроводниковый высокочистый


Моднявка = ckeditor

 

4 дюйма выключатель, выключатель перевод Кремниевая Пластина

Высокий уровень purityICSemiconductor электронный микроскопический исследовательский эксперимент

 

PlanenessTIR:<3 мкм,

WarpageTTV: <10 мкм,
Изгиб degreeBOW< 10 мкм.

Шероховатость поверхности <0.5nm 、

Гранулярность <10 (для размера> 0.3мкм)

Ntype (фосфор допинг, мышьяк, сурьмы) птип (БОРОН допинг)

Ориентация кристалла <111>\<100>

Resistance1-30 (ом • см)

CZ одинарный кристалл (CZ)

Требуются различные параметры, такие как: модель, ориентация кристалла, толщина, сопротивление и т. д., приемлемая настройка!

 

'


Смотрите так же другие товары: